ASEMI高壓MOS管20N65有什么特征？-Z
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ASEMI高壓MOS管ASE20N65SE的封裝體積為40.4mm。ASE20N65SE是一種TO-247封裝的高壓MOS管，擁有低固有電容、***開關(guān)特性、擴(kuò)展安全操作區(qū)域和***的柵極電荷。它的漏極-源極電壓(VDS )為650V,柵源電壓(VGS )為30V,漏極電流(ID )為20A，功耗(PD)為239W。
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